Tấm wafer 2D InSe vượt trội hơn silicon về độ di động, khả năng chuyển mạch và rò rỉ điện.

Các nhà khoa học Trung Quốc đã đạt được một bước đột phá lớn khi chế tạo thành công chip bán dẫn indium selenide (InSe) hai chiều trên quy mô wafer đầu tiên trên thế giới, vượt trội hơn silicon về các chỉ số hiệu suất chính. Sử dụng phương pháp tăng trưởng mới “rắn–lỏng–rắn”, nhóm nghiên cứu do Giáo sư Liu Kaihui tại Đại học Bắc Kinh dẫn đầu đã sản xuất được một wafer InSe kích thước 2 inch với chất lượng tinh thể xuất sắc, độ tinh khiết pha và độ đồng đều về độ dày. Các transistor dựa trên InSe thu được có độ linh động electron lên đến 287 cm²/V·s, độ trễ ngưỡng cực thấp, rò rỉ tối thiểu ở chiều dài cổng dưới 10nm, tỷ lệ bật/tắt cao và sản phẩm năng lượng-trễ vượt qua các tiêu chuẩn của Lộ trình Quốc tế về Thiết bị và Hệ thống (IRDS) năm 2037. Tiến bộ này đã khắc phục những thách thức lâu dài trong việc tổng hợp InSe diện tích lớn do sự khác biệt áp suất hơi và sự không ổn định pha, bằng cách duy trì tỷ lệ nguyên tử indium và selenium hoàn hảo trong quá trình tăng trưởng. Quy trình này tương thích với công nghệ CMOS hiện có, tạo điều kiện thuận lợi cho các ứng dụng thực tế tiềm năng.