Công nghệ năng lượng mặt trời đột phá có thể giúp các tấm pin thế hệ mới đạt hiệu suất 30%

Các nhà nghiên cứu tại Đại học New South Wales (UNSW) Sydney đã phát triển một công nghệ pin mặt trời đột phá có thể nâng cao hiệu suất của tấm pin quang điện silicon lên trên 30%, vượt qua mức 20-25% thông thường của các tấm pin thương mại hiện nay. Tiến bộ này đạt được bằng cách thêm một lớp phân tách singlet gồm một phân tử hữu cơ bền vững và ổn định dưới ánh sáng gọi là dipyrrolonaphthyridinedione (DPND) lên trên các tế bào silicon hiện có. Khác với các nỗ lực trước đây sử dụng các phân tử không ổn định như tetracene, DPND tương thích với silicon tinh thể và có thể sản xuất quy mô lớn. Quá trình phân tách singlet thu nhận các photon năng lượng cao và tách chúng thành hai exciton phù hợp với vùng cấm của silicon, hiệu quả gấp đôi lượng điện năng thu được từ các photon này và giảm thiểu sự sinh nhiệt. Ngoài việc tăng hiệu suất, công nghệ này còn giúp các tấm pin mặt trời hoạt động ở nhiệt độ thấp hơn tới 2,4°C, có thể kéo dài tuổi thọ của chúng khoảng 4,5 năm và cải thiện hiệu suất theo thời gian thực vì hiệu suất của tế bào silicon thường giảm khi nhiệt độ tăng.