Transistor từ tính 2D mới cho khả năng chuyển đổi dòng điện mạnh gấp 10 lần

Các kỹ sư tại MIT đã phát triển một loại transistor từ tính mới sử dụng chất bán dẫn từ tính hai chiều, crom sunfur bromide, cho phép chuyển mạch dòng điện mạnh gấp mười lần so với các thiết kế transistor từ tính hiện có. Thiết bị này hoạt động với năng lượng thấp hơn đáng kể so với transistor silicon truyền thống, vượt qua giới hạn điện áp của silicon vốn cản trở việc cải thiện hiệu suất hơn nữa. Cấu trúc ổn định của chất bán dẫn từ tính cho phép chuyển đổi chính xác giữa hai trạng thái từ tính, thay đổi hành vi điện tử và cho phép hoạt động với năng lượng thấp. Phương pháp chế tạo sáng tạo của nhóm, không sử dụng dung môi hay keo dán mà trực tiếp chuyển màng từ tính mỏng lên nền silicon bằng băng dính, tạo ra giao diện sạch giúp nâng cao hiệu suất thiết bị. Ngoài khả năng chuyển mạch mạnh hơn và tiết kiệm năng lượng hơn, transistor mới còn tích hợp độc đáo chức năng logic và bộ nhớ, cho phép lưu trữ thông tin trực tiếp thay vì dựa vào các ô nhớ từ tính riêng biệt. Khả năng bộ nhớ tích hợp này, kết hợp với việc đọc dữ liệu nhanh hơn và đáng tin cậy hơn nhờ tín hiệu mạnh hơn, đánh dấu một bước tiến quan trọng cho các thiết bị spintronic. Các nhà nghiên cứu đã chứng minh khả năng điều khiển trạng thái từ tính cả bằng trường từ bên ngoài và dòng điện,