Phương pháp xử lý bề mặt mới giúp pin mặt trời vượt qua ngưỡng hiệu suất 33%

Các nhà nghiên cứu đã đạt được một bước đột phá quan trọng trong pin mặt trời tandem perovskite-silicon, vượt qua giới hạn hiệu suất lâu nay của các tấm pin dựa trên silicon. Trong khi các pin mặt trời silicon truyền thống chỉ chuyển đổi chưa đến 30% ánh sáng mặt trời thành điện năng, phương pháp mới kết hợp một lớp perovskite phía trên với lớp silicon có kết cấu phía dưới, cho phép thu nhận phổ ánh sáng rộng hơn. Tiến bộ then chốt nằm ở việc thành công áp dụng kỹ thuật thụ động hóa bề mặt — một phương pháp giảm các khuyết tật gây lãng phí năng lượng — trên bề mặt silicon có kết cấu thường được sử dụng trong sản xuất đại trà. Bằng cách phủ 1,3-diaminopropane dihydroiodide lên bề mặt perovskite không bằng phẳng, nhóm nghiên cứu đã đạt được hiệu suất chuyển đổi 33,1% và điện áp mạch hở 2,01 volt, đánh dấu một bước quan trọng hướng tới các tấm pin mặt trời có thể sản xuất quy mô lớn với hiệu suất cao. Nghiên cứu cũng phát hiện rằng quá trình thụ động hóa có cách hoạt động khác nhau trên perovskite so với silicon: trong khi trên silicon nó chỉ ảnh hưởng đến bề mặt, thì trên perovskite nó ảnh hưởng đến toàn bộ...