Đột phá pin thể rắn hứa hẹn tăng 50% quãng đường chỉ với một lần sạc

Các nhà nghiên cứu từ Viện Khoa học và Công nghệ Skolkovo (Skoltech) và Viện AIRI đã đạt được bước đột phá quan trọng trong công nghệ pin thể rắn bằng cách sử dụng học máy để tăng tốc quá trình phát hiện vật liệu pin hiệu suất cao. Sáng kiến của họ có thể giúp xe điện (EV) di chuyển xa hơn tới 50% chỉ với một lần sạc, đồng thời cải thiện độ an toàn và tuổi thọ pin. Nhóm nghiên cứu đã sử dụng mạng nơ-ron đồ thị để nhanh chóng xác định các vật liệu tối ưu cho chất điện phân rắn và lớp phủ bảo vệ, vượt qua một trở ngại lớn trong phát triển pin thể rắn. Phương pháp này nhanh hơn hàng chục lần so với các phương pháp hóa học lượng tử truyền thống, giúp tiến bộ trong thiết kế pin diễn ra nhanh hơn. Một khía cạnh then chốt của nghiên cứu là việc xác định các lớp phủ bảo vệ giúp che chắn chất điện phân rắn khỏi các cực âm và cực dương lithium phản ứng, vốn làm giảm hiệu suất pin và tăng nguy cơ chập mạch. Sử dụng trí tuệ nhân tạo, nhóm đã phát hiện các hợp chất lớp phủ tiềm năng như Li3AlF6 và Li2ZnCl4 cho chất điện phân rắn Li10GeP2S12, một vật liệu ứng viên hàng đầu. Công trình này không chỉ nâng cao độ bền và hiệu quả của pin thể rắn mà còn mở đường cho các xe điện và thiết bị điện tử di động an toàn hơn, bền bỉ hơn và hiệu suất cao hơn, có khả năng định hình lại tương lai của lưu trữ năng lượng.