Các phòng thí nghiệm Mỹ phát triển chip nitrua galli giá rẻ cho radar thế hệ tiếp theo

Các nhà nghiên cứu tại MIT và các tổ chức đối tác đã phát triển một quy trình chế tạo mới, chi phí thấp, tích hợp các transistor gallium nitride (GaN) hiệu suất cao lên các chip CMOS silicon tiêu chuẩn. Đột phá này giải quyết các thách thức trước đây liên quan đến chi phí cao của GaN và nhu cầu tích hợp chuyên biệt bằng cách sử dụng một phương pháp có thể mở rộng, tương thích với quy trình sản xuất bán dẫn hiện có. Quy trình này bao gồm việc tạo ra nhiều "dielet" transistor GaN nhỏ, được liên kết lên các chip silicon bằng kỹ thuật hàn đồng với đồng ở nhiệt độ thấp. Cách tiếp cận này giữ nguyên chức năng vật liệu, giảm nhiệt độ hệ thống và cải thiện hiệu suất đáng kể trong khi vẫn giữ chi phí thấp. Nhóm nghiên cứu đã chứng minh hiệu quả của công nghệ chip lai này bằng cách xây dựng một bộ khuếch đại công suất vượt trội hơn các thiết bị dựa trên silicon truyền thống về độ mạnh tín hiệu và hiệu suất, cho thấy tiềm năng cải thiện trong truyền thông không dây như chất lượng cuộc gọi tốt hơn, băng thông tăng và thời lượng pin lâu hơn. Phương pháp tích hợp này tránh sử dụng vật liệu đắt tiền và nhiệt độ cao, làm cho nó tương thích với các nhà máy sản xuất bán dẫn tiêu chuẩn và hứa hẹn ứng dụng rộng rãi trong điện tử thương mại. Ngoài ra, các nhà nghiên cứu còn đề xuất rằng công nghệ này có thể hỗ trợ các ứng dụng tính toán lượng tử do...